Zamienniki dla NVBG020N090SC1

NVBG020N090SC1 (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: TO-263
Wymiary: 10 × 8.4 × 4.6 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (8)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NVBG020N090SC1` onsemi ↓ Twoj uklad	N	TO-263 10×8.4mm	900V	112A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	200nC	1.82V	175°C	PDF →
`C3M0021120J2-TR` Wolfspeed, Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-263) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.82V vs 3.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-263	1200V	114A	29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	169nC	3.8V	175°C	PDF →
`SIHB24N80AE-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 100A < 112A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-263 10×8.4mm	800V	100A	184mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	89nC	2V	150°C	PDF →
`SIHB15N80AE-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 100A < 112A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	TO-263 10×8.4mm	800V	100A	350mΩ Vgs=0V, 125°C	53nC	2V	150°C	PDF →
`SIHB17N80E-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 100A < 112A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	TO-263 10×8.4mm	800V	100A	290mΩ Vgs=0V, 125°C	122nC	2V	150°C	PDF →
`SIHB5N80AE-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 100A < 112A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	TO-263 10×8.4mm	800V	100A	1350mΩ Vgs=0V, 125°C	16.5nC	2V	150°C	PDF →
`G3R30MT12J` GeneSiC Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 96A < 112A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-263 10×8.4mm	1200V	96A	45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	155nC	1.8V	175°C	PDF →
`NVBG020N120SC1` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 98A < 112A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-263 10×8.4mm	1200V	98A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	220nC	1.82V	175°C	PDF →
`NTBG014N120M3P` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.82V vs 4.63V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 104A < 112A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (337nC vs 200nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-263 10×8.4mm	1200V	104A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	337nC	4.63V	175°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (17)

IPB60R040C7: vds-too-low, id-too-low
IPB60R040CFD7ATMA1: vds-too-low, id-too-low
IPB65R041CFD7ATMA1: vds-too-low, id-too-low
IPB65R045C7: vds-too-low, id-too-low
IPB65R110CFDA: vds-too-low
IPB65R150CFDAATMA1: vds-too-low, id-too-low
IPB65R190CFD-VB: vds-too-low
NTBG045N065SC1: vds-too-low, id-too-low
NTBG060N090SC1: id-too-low
NVBG045N065SC1: vds-too-low, id-too-low
SIHB053N60E-GE3: vds-too-low
SIHB21N65EF-GE3: vds-too-low
SIHB33N60E-GE3: vds-too-low
SIHB33N60ET1-GE3: vds-too-low
SIHB35N60E-GE3: vds-too-low
VBL16R25SFD: vds-too-low
VBL16R41SFD: vds-too-low