Zamienniki dla NVMFD5C668NLT1G
NVMFD5C668NLT1G (onsemi)
- Typ ukladu
- Dual MOSFET (2× N-channel)
- Obudowa
- 8-POWERTDFN
- Wymiary
- 5 × 6 × 1 mm
Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (4)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
NVMFD5C668NLT1Gonsemi ↓ Twoj uklad | dual-N | 8-POWERTDFN 5×6mm | 60V | 68A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.8nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
NVMFD5C478NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16nC vs 9.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | 8-POWERTDFN 5×6mm | 60V | 111A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
NVMFD5C650NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16nC vs 9.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | 8-POWERTDFN 5×6mm | 60V | 111A | 3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
NVMFD6H840NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (32nC vs 9.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | 8-POWERTDFN 5×6mm | 80V | 74A | 5.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 1.22V | 175°C | PDF → |
NVMFD5873NLT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- UWAGA: Id 58A < 68A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (16.5nC vs 9.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | 8-POWERTDFN 5×6mm | 60V | 58A | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 16.5nC | 1.52V | 175°C | PDF → |