Zamienniki dla NVMFS027N10MCLT1G

NVMFS027N10MCLT1G (onsemi)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 5 × 6 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (4)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NVMFS027N10MCLT1G` onsemi ↓ Twoj uklad	N	SO-8 5×6mm	100V	28A	26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.5nC	6V	175°C	PDF →
`NVMFS016N10MCLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	100V	46A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	5.6V	175°C	PDF →
`SI7460DP-T1-E3-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6V vs 1.03V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (100nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	123V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	1.03V	150°C	PDF →
`NVMFS6H836NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	80V	74A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2.04V	175°C	PDF →
`NVMFS6H836NWFT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (25nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	80V	74A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2.04V	175°C	PDF →