Zamienniki dla NVMFS5113PLWFT1G
NVMFS5113PLWFT1G (onsemi)auto
- Typ ukladu
- MOSFET P-channel
- Obudowa
- SO-8
- Wymiary
- 4.9 × 3.9 × 1.5 mm
Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (3)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
NVMFS5113PLWFT1Gonsemi ↓ Twoj uklad | P | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 69A | 14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1.5V | 100°C | PDF → |
NVMFS5A160PLZWFT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | 100A | 5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 1.2V | 175°C | PDF → |
SQJ469EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10.2nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 80V | — | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.2nC | 2V | — | PDF → |
SQJ461EP-T2_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (30nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 60V | — | 13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2V | — | PDF → |
Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)