Zamienniki dla NVMFS6H818NLT1G

NVMFS6H818NLT1G (onsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (9)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`NVMFS6H818NLT1G` onsemi ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	135A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	64nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVMFS6H800NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	203A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	2.04V	175°C	PDF →
`SQJ110EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 3.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (113nC vs 64nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	170A	6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	113nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJ182EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	210A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	96nC	2.22V	175°C	PDF →
`SQJ180EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (117nC vs 64nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	248A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	117nC	2.22V	175°C	PDF →
`SIR680LDP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 130A < 135A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	130A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40.5nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS6H818NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 123A < 135A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	123A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	46nC	2.04V	175°C	PDF →
`SIR582DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 6.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 116A < 135A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	116A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.5nC	6.3V	150°C	PDF →
`SQJ474EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.53nC	1.52V	—	PDF →
`SQJA70EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.22V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	2.53V	—	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (9)

NTMFS5H630NLT1G: vds-too-low
NTMFS6H801NLT1G: id-too-low
NTMFS6H836NT1G: id-too-low
NVMFS6H824NT1G: id-too-low
SIDR680ADP-T1-RE3: id-too-low
SIR182DP-T1-RE3: vds-too-low
SIR680ADP-T1-RE3: id-too-low
SIR680DP-T1-RE3: id-too-low
SIR826DP-T1-RE3: id-too-low