PJQ4441P-AU_R2_000A1PANJIT International ↓ Twoj uklad | P | DFN | 40V | 8.5A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
PJQ5445-AU_R2_000A1PANJIT International Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN | 40V | 8.5A | 15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
S-LPB8413DT0AGLRC Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN | 40V | 12A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 1V | 150°C | PDF → |
CJAE10P06Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (52nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN 3.3×3.3mm | 60V | 10A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 52nC | 2.2V | 150°C | PDF → |
YJG15GP10AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN | 100V | 15A | 75mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
YJQ15GP10AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN | 100V | 15A | 83mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
SI7155DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (107nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN 4.9×3.9mm | 40V | 100A | 3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 107nC | 2.3V | 150°C | Szukaj PDF → |
GT700P08D3GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN 3.3×3.3mm | 80V | 16A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 3V | 150°C | PDF → |
YJG25GP10AYangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN | 100V | 25A | 38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.8V | 150°C | PDF → |
AGM60P14APAGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (19nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | DFN 3.3×3.3mm | 60V | 208A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 19nC | 1.6V | 150°C | PDF → |