Zamienniki dla SE20N110

SE20N110 (SINO-IC)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.3 × 3.3 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (35)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SE20N110` SINO-IC ↓ Twoj uklad	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	110A	3.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	0.5V	150°C	PDF →
`MOT3140J` MOT Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (66.3nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	110A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	66.3nC	5V	150°C	PDF →
`TPN11006NL,LQ` TPN11006NL,LQ Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	—	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSZ050N03LS G-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`BSZ0904NSI-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`CSD16340Q3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`CSD17577Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3008SFG-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`DMN3009LFVW-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`FDMC8651-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`FDMC8854-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`HXY100N03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`MSK100N03DF` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`AON7544(XBLW)` XBLW Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	5.5mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`MDV1542-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTMFS4C025N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4824N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4937N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4939N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NTTFS4C06N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`NVTFS4C06N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (4.5nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching	N	DFN-8 3.3×3.3mm	20V	100A	4000mΩ Vgs=10V, 25°C	4.5nC	1V	150°C	PDF →
`AP30H150Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 105A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	105A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSC009NE2LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	150°C	PDF →
`BSC014NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSC026N02KSGAUMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (52.7nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	20V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.7nC	1.2V	150°C	PDF →
`BSZ0502NSI` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	2V	150°C	Szukaj PDF →
`BSC010NE2LSIATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (59nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	25V	100A	1.05mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	59nC	2V	—	PDF →
`BSC0902NSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	2.2V	150°C	PDF →
`DMT32M5LFG-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (34nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	34nC	1.4V	150°C	PDF →
`BSC030N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (55nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	1V	150°C	PDF →
`IRFH8303TRPBF` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	1.7V	150°C	PDF →
`BSC011N03LSATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (72nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	100A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	72nC	2.2V	175°C	PDF →
`BSC030N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (73nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	73nC	2V	150°C	PDF →
`BSC020N03MSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (124nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	124nC	1V	150°C	PDF →
`BSC014N03LSGATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 100A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (131nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8	30V	100A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	131nC	2.2V	150°C	PDF →
`AP90N03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 90A < 110A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (60nC vs 2nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	90A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.5V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (2)

NVTFS4C02NWFTAG: id-too-low
SE2060: id-too-low