Zamienniki dla SH8JB5TB1

SH8JB5TB1 (ROHM Semicon)auto

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× P-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (6)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SH8JB5TB1` ROHM Semicon ↓ Twoj uklad	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	8.5A	15.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	51nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`DMP6050SSD-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	11.3A	36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	11.9nC	1V	150°C	PDF →
`SI4909DY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 4.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 8A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	8A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	4.8V	150°C	PDF →
`SQ4917EY-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 8A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	8A	48mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	43.465nC	2V	175°C	PDF →
`SQ4917EY-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 8A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	8A	48mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	43.465nC	2V	175°C	PDF →
`SH8JC5TB1` ROHM Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in UWAGA: Id 7.5A < 8.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	7.5A	32mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	2.5V	—	Szukaj PDF →
`SQJ963EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	—	3500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.3nC	2V	—	PDF →