SI4477DY-T1-GE3Vishay Intertech ↓ Twoj uklad | P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 26.6A | 5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26.6nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
SI4459ADY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 29A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 5.3V | 150°C | PDF → |
SI7143DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 35A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 5V | 150°C | PDF → |
SI4497DY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 36A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 5.5V | 150°C | PDF → |
SI7635DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 40A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
KPE4703AKIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 38A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 4.5V | — | PDF → |
XPH3R114MC,L1XHQTOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 100A | 4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 29nC | 2.1V | — | PDF → |
SI4491EDY-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (66nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 29A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 66nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI7139DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 40A | 5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
SQJ457EP-T1_BE3SQJ457EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 36A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 2V | 175°C | PDF → |
SQJA37EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJA37EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (100nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 9.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ403EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (109nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 109nC | 2V | 175°C | PDF → |
SQ4483EY-T1_BE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (113nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 113nC | 2V | 175°C | PDF → |
SQJ403BEEP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (164nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 164nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (164nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 30A | 8.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 164nC | 2.5V | 175°C | PDF → |
SI7633DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (85nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 60A | 3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 85nC | 6.4V | 150°C | PDF → |
SI7137DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (188nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 42A | 1.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 188nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
SIR401DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (310nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 50A | 3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 310nC | 3.3V | 150°C | PDF → |
SI7141DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (400nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 60A | 1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 400nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
SI7157DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (625nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | 60A | 1.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 625nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
NDS8434ANDS8434A Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 0.51V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 20V | — | 24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3.8nC | 0.51V | 150°C | PDF → |
AP4953GMAPEC(Advanced Power Elec) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 25A < 26.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 2nC | 1V | — | PDF → |
HSM24P03HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 1.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 24A < 26.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 24A | 3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1.6V | 150°C | PDF → |
SI7149DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 23.7A < 26.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23.7A | 4.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 6V | 150°C | PDF → |
SI7149ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 23.1A < 26.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (50nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 23.1A | 5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 50nC | 4.1V | 150°C | PDF → |
NCE30P25SWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 25A < 26.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (65nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 25A | 8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 65nC | 1.5V | 150°C | PDF → |
SQ4483EY-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.1V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 22A < 26.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (113nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 22A | 7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 113nC | 2V | 175°C | PDF → |
SIR403EDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 21.9A < 26.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (153nC vs 26.6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 21.9A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 153nC | 6V | 150°C | PDF → |