Zamienniki dla SI4490DY-T1-GE3

SI4490DY-T1-GE3 (Vishay Intertech)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (5)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SI4490DY-T1-GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	P	SO-8 4.9×3.9mm	200V	2.85A	65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42nC	2V	150°C	PDF →
`SI4490DY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	200V	4A	65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	42nC	2V	150°C	PDF →
`SQJ431AEP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (85nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	200V	9.4A	254mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	3V	175°C	PDF →
`SQJ431EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (100nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	200V	12A	3800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	3V	175°C	PDF →
`SQJ431EP-T2_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (100nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	200V	12A	3800mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	3V	175°C	PDF →
`SI4434ADY-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 6.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 2.8A < 2.85A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	250V	2.8A	150mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.5nC	6.9V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (11)

AGM628S: polarity-mismatch (P vs N)
AM4392N-T1-VB: polarity-mismatch (P vs N)
IRF7450PBF: polarity-mismatch (P vs N)
PSMN165-200K518: polarity-mismatch (P vs N)
SI4848DY-T1-E3: polarity-mismatch (P vs N), vds-too-low
SI7172ADP-T1-RE3: polarity-mismatch (P vs N)
SIR610DP-T1-RE3: polarity-mismatch (P vs N)
SIR616DP-T1-GE3: polarity-mismatch (P vs N)
SIR624DP-T1-GE3: polarity-mismatch (P vs N)
SIR690DP-T1-GE3: polarity-mismatch (P vs N)
SIR692DP-T1-RE3: polarity-mismatch (P vs N)