Zamienniki dla SI6415DQ-T1-BE3

SI6415DQ-T1-BE3 (Vishay Siliconix)

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: TSSOP-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (1)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SI6415DQ-T1-BE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	P	TSSOP-8 4.9×3.9mm	30V	6.5A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	1V	150°C	PDF →
`SI6415DQ-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (TSSOP-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 6.4A < 6.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	TSSOP-8 4.9×3.9mm	30V	6.4A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	70nC	1V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (2)

SI6433DQ: vds-too-low, id-too-low
AO8801A: vds-too-low, id-too-low