Zamienniki dla SI7336ADP-T1-GE3-HXY

SI7336ADP-T1-GE3-HXY (HXY MOSFET)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 5 × 6 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (6)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`SI7336ADP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET ↓ Twoj uklad	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7192DP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7336ADP-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SI7880ADP-T1-E3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SIR158DP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`SIR464DP-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	30V	150A	2.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`NTMFS4983NF` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	160A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	Zobacz ofertę →