Zamienniki dla SI7460DP-T1-E3-VB

SI7460DP-T1-E3-VB (VBsemi Elec)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 5 × 6 × 1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (2)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SI7460DP-T1-E3-VB` VBsemi Elec ↓ Twoj uklad	N	SO-8 5×6mm	123V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	1.03V	150°C	PDF →
`NVMFS027N10MCLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.03V vs 6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 100V < 123V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 28A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	100V	28A	26mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.5nC	6V	175°C	PDF →
`NVMFS016N10MCLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.03V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 100V < 123V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 5×6mm	100V	46A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	5.6V	175°C	PDF →