Zamienniki dla SIDR392DP-T1-GE3

SIDR392DP-T1-GE3 (Vishay Intertech)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (17)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIDR392DP-T1-GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	82A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIR500DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 0.42V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	85.9A	0.47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	180nC	0.42V	150°C	PDF →
`SIRA80DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIRA00DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	5.8V	150°C	PDF →
`SIRA60DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	125nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRA90DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	153nC	2V	150°C	PDF →
`SIRA90DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	153nC	2V	150°C	PDF →
`SIRA00DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	220nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C022NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 1.32V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	136A	1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.8nC	1.32V	150°C	PDF →
`NTMFS4C022NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 1.32V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	136A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.8nC	1.32V	150°C	PDF →
`IRF7455TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 80A < 82A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	80A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.6nC	1.2V	—	PDF →
`NTMFS4C55NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 78A < 82A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	78A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C55NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 1.32V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 78A < 82A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	78A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1.32V	150°C	PDF →
`NTMFS4931NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5.3V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 77A < 82A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	77A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61.5nC	1.21V	150°C	PDF →
`SIRA20BDP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	82A	0.58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	186nC	5.4V	150°C	PDF →
`NTMFS4C55N` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 78A < 82A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	78A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`NTMFS4C06NBT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 69A < 82A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	69A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`NTMFS4C800NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 69A < 82A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	69A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	150°C	Szukaj PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (14)

NTMFS0D6N03CT1G: id-too-low
NTMFS4C020NT3G: id-too-low
NTMFS4H01NFT1G: id-too-low
NTMFS4H01NT1G: id-too-low
SI7192DP-T1-GE3: id-too-low
SI7658ADP-T1-GE3: id-too-low
SI7742DP-T1-GE3: id-too-low
SIJA22DP-T1-GE3: id-too-low
SIR812DP-T1-GE3: id-too-low
SIRA14BDP-T1-GE3: id-too-low
SIRA60DP-T1-GE3: id-too-low
SIRA62DP-T1-RE3: id-too-low
SIRC04DP-T1-GE3: id-too-low
SIRC16DP-T1-GE3: id-too-low