SIHA11N80AE-GE3Vishay Intertech ↓ Twoj uklad | N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 450mΩ Vgs=0V, 125°C | 42nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP11N80AE-GE3Vishay Intertech Spełnia zapisane reguły | N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 450mΩ Vgs=0V, 125°C | 42nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP5N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 1.5A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 1350mΩ Vgs=0V, 125°C | 16.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP6N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 2A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 950mΩ Vgs=0V, 125°C | 22.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHA15N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 7.5A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 350mΩ Vgs=0V, 125°C | 53nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP15N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 7.5A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 350mΩ Vgs=0V, 125°C | 53nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHA15N80AEF-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 6.5A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 350mΩ Vgs=0V, 125°C | 54nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP15N80AEF-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 6.5A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 350mΩ Vgs=0V, 125°C | 54nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHA17N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 8.5A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 290mΩ Vgs=0V, 125°C | 62nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBM18R06SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHP24N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (89nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 184mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 89nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP17N80E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 8.5A)
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (122nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 100A | 290mΩ Vgs=0V, 125°C | 122nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP24N80AEF-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 10A)
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (90nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 800V | 210A | 195mΩ Vgs=0V, 125°C | 90nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBM17R10VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 700V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 700V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 43nC | 2V | 150°C | PDF → |
FDPF10N60NZ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPP50R380CEIPP50R380CE Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne T (125°C vs 150°C)
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 3.2A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 380mΩ Vgs=0V, 150°C | 24.8nC | 2.5V | — | PDF → |
K2543-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 3V | 150°C | PDF → |
SPA11N60CFD-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 170mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 3V | — | PDF → |
VBM165R12VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBMB165R07VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
VBMB165R12VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 3V | 150°C | PDF → |
VBZMB12N65VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 3V | — | PDF → |
VBM165R10VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 43nC | 2V | 150°C | PDF → |
IPP65R095C7IPP65R095C7 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 2.5V | — | PDF → |
SIHA6N65E-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 3A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 600mΩ Vgs=0V, 125°C | 48nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP6N65E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 3A)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 600mΩ Vgs=0V, 125°C | 48nC | 2V | 150°C | PDF → |
IPP60R080P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 110A | 161mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBMB165R10VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBM165R18VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 11A)
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (71nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 300mΩ Vgs=0V, 125°C | 71nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
VBMB165R20VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (73nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 170mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 73nC | 3V | 150°C | PDF → |
AOT280A60L-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 2.5A)
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 280mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
FCP165N65S3R0-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
FCP16N60-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 2.5A)
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 280mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
IPA65R095C7-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
IPA65R125C7-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
IPP65R095C7-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
NTPF190N65S3HF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHF22N65E-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHP21N65EF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHP24N65EF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
STF33N65M2-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
STP16N65M2-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 4A)
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 360mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
TK090A65Z-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
TK14E65W-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 5A)
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 220mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
TK155E65Z-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
TK190A65Z-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
TK22A65X-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBM165R07SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 3V | — | PDF → |
VBM165R12SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru: rozne Id (5.5A vs 4A)
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 360mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
VBM165R25SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBMB165R26SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBMB165R32SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBMB165R34SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
AOT13N50-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2.5V | — | PDF → |
FCP16N60N-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2V | — | PDF → |
IKA15N60T-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 190mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2V | — | PDF → |
IPP50R380CE-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 42nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2.5V | — | PDF → |