SIHB24N80AE-GE3Vishay Intertech ↓ Twoj uklad | N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 100A | 184mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 89nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHB15N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 100A | 350mΩ Vgs=0V, 125°C | 53nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHB5N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 100A | 1350mΩ Vgs=0V, 125°C | 16.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHB17N80E-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
| N | TO-263 10×8.4mm | 800V | 100A | 290mΩ Vgs=0V, 125°C | 122nC | 2V | 150°C | PDF → |
NVBG020N090SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (200nC vs 89nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 900V | 112A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 200nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
C3M0021120J2-TRWolfspeed, Inc. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-263) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (169nC vs 89nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 | 1200V | 114A | 29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 169nC | 3.8V | 175°C | PDF → |
NTBG014N120M3Ponsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 4.63V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (337nC vs 89nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 104A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 337nC | 4.63V | 175°C | PDF → |
FDB12N50F-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | — | PDF → |
IRF830ASTRL-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 2V | 150°C | PDF → |
RJK5012DPE-00-J3-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | — | PDF → |
VBL165R10VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBL165R12VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | 150°C | PDF → |
SIHB21N65EF-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | 180mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBL165R18VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | 360mΩ Vgs=0V, 125°C | 106nC | 2V | 150°C | PDF → |
G3R30MT12JGeneSiC Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 96A < 100A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (155nC vs 89nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 96A | 45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 155nC | 1.8V | 175°C | PDF → |
IPB65R190CFD-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 3V | — | PDF → |
SIHB6N65E-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 100A | 2500mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 3V | — | PDF → |
IPB65R110CFDAInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 99.6A < 100A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 99.6A | 110mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 4.5V | — | PDF → |
NVBG020N120SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 98A < 100A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (220nC vs 89nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 1200V | 98A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 220nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
NTBG015N065SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (283nC vs 89nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 145A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 283nC | 1.82V | 175°C | PDF → |
NVBG015N065SC1onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 650V < 800V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (283nC vs 89nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-263 10×8.4mm | 650V | 145A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 283nC | 1.82V | 175°C | PDF → |