Zamienniki dla SIHJ690N60E-T1-GE3

SIHJ690N60E-T1-GE3 (Vishay Intertech)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (2)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIHJ690N60E-T1-GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	600V	5.6A	700mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	812nC	3V	150°C	PDF →
`SIHJ6N65E-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	650V	5.6A	868mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	32nC	4V	150°C	PDF →
`SIHJ240N60E-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit	N	SO-8 4.9×3.9mm	600V	100A	240mΩ Vgs=0V, 125°C	23nC	3V	150°C	PDF →