Zamienniki dla SIJH112E-T1-GE3

SIJH112E-T1-GE3 (Vishay Intertech)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: POWERPAK-5(8X8)
Wymiary: 8 × 8 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (1)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIJH112E-T1-GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	N	POWERPAK-5(8X8) 8×8mm	100V	23A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	160nC	2V	150°C	PDF →
`SIHH11N65EF-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (POWERPAK-5(8X8)) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout	N	POWERPAK-5(8X8) 8×8mm	650V	100A	382mΩ Vgs=0V, 125°C	70nC	2V	150°C	PDF →