Zamienniki dla SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3 (Vishay Intertech)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (21)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIR401DP-T1-GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	310nC	3.3V	150°C	PDF →
`SI7633DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	60A	3.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	6.4V	150°C	PDF →
`BRCS9435SC` Foshan Blue Rocket Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 1.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.7V	175°C	PDF →
`SI7145DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	5.1V	150°C	PDF →
`SI7135DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	3.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	250nC	6.5V	150°C	PDF →
`SIR167DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	111nC	2.5V	150°C	PDF →
`SIRA01DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	5.5V	150°C	PDF →
`SQJ407EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ407EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2.5V	150°C	PDF →
`SI7141DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	60A	1.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	400nC	5.7V	150°C	PDF →
`TDM3415` Techcode Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	70A	17.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.8V	150°C	PDF →
`SQJ433EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	75A	8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	108nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ433EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	75A	8.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	108nC	2.5V	175°C	PDF →
`XPH3R114MC,L1XHQ` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 2.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	100A	4.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29nC	2.1V	—	PDF →
`SI7157DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (625nC vs 310nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	60A	1.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	625nC	4.1V	150°C	PDF →
`NDS8434A` NDS8434A Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 3.3V vs 0.51V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	—	24mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.8nC	0.51V	150°C	PDF →
`SI7137DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 42A < 50A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	42A	1.95mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	4.1V	150°C	PDF →
`SI7635DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 40A < 50A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	40A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	4.5V	150°C	PDF →
`SIRA99DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 47.9A < 50A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	47.9A	1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	6V	150°C	PDF →
`SM4307PSKPC-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 47.3A < 50A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	47.3A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`SI7139DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 40A < 50A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	40A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40nC	5.2V	150°C	PDF →
`SI4413CDY-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	20V	—	15.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.8V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (2)

SI4477DY-T1-GE3: id-too-low
SQJ457EP-T1_BE3: id-too-low