Zamienniki dla SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3 (Vishay Intertech)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (69)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIR440DP-T1-GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	60A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6.3V	150°C	PDF →
`SIR438DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`SIRC16DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	0.96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.4V	150°C	PDF →
`SI7192DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6.1V	150°C	PDF →
`SIR812DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	5.7V	150°C	PDF →
`SI7742DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.32V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	3.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.32V	150°C	PDF →
`SIR158DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	5000mΩ Vgs=10V, 55°C	60nC	6.6V	150°C	PDF →
`SIRA84DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	4.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	38nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIRC04DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.45mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	56nC	2.1V	150°C	PDF →
`SIRC10DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1V	150°C	PDF →
`SIRA14BDP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	64A	5.38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6.6nC	4.7V	150°C	PDF →
`NTMFS0D6N03CT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.32V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	1.32V	175°C	PDF →
`SIRA64DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIRA64DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	65nC	2.2V	150°C	PDF →
`TPH3R70APL` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	90A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	67nC	6V	175°C	PDF →
`NTMFS4C55NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	78A	3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C55NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.32V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	78A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14nC	1.32V	150°C	PDF →
`IRF7455TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	80A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.6nC	1.2V	—	PDF →
`NTMFS4931NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.21V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	77A	1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61.5nC	1.21V	150°C	PDF →
`PH3120L,115` NXP Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	100A	2.65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48.5nC	2V	150°C	Szukaj PDF →
`SIRA32DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	83nC	4.4V	150°C	PDF →
`SIR140DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	100A	0.67mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	52.8nC	5.2V	150°C	PDF →
`TPH1R104PB,L1XHQ` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	120A	1.96mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	3V	—	PDF →
`SIRA20DP-T1-RE3` SIRA20DP-T1-RE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	100A	0.58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61nC	2.1V	150°C	Szukaj PDF →
`NTMFS0D5N03CT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.32V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	65A	0.43mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	1.32V	175°C	PDF →
`SIJA22DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (125nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	64A	0.74mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	125nC	5.1V	150°C	PDF →
`SI7658ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (110nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	110nC	2.5V	150°C	PDF →
`SIRC18DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (111nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	111nC	1V	150°C	PDF →
`TPH1R306PL,L1Q` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (91nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	100A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	91nC	6V	—	PDF →
`TPH3R70APL,L1Q(M` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	90A	6.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	6V	—	PDF →
`SIRA22DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (155nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	60A	0.76mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	155nC	2.2V	150°C	PDF →
`NTMFS4C06NBT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	69A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`NTMFS4C800NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	69A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	150°C	Szukaj PDF →
`NTMFS4H01NFT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	334A	0.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.22V	—	PDF →
`TPH3R506PL,LQ(S` TOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	94A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	6V	—	PDF →
`NTMFS4C55N` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	78A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`SIRA58DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	185A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	4.4V	150°C	PDF →
`SIRA20BDP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (186nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	82A	0.58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	186nC	5.4V	150°C	PDF →
`SIRA00DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (100nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	5.8V	150°C	PDF →
`SIDR220DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (200nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	87.7A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	200nC	4.8V	150°C	PDF →
`SIDR392DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (188nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	82A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIR500DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 0.42V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (180nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	85.9A	0.47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	180nC	0.42V	150°C	PDF →
`SIRA60DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (125nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	125nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIDR220EP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (200nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	92.8A	0.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	200nC	4.8V	150°C	PDF →
`SIRA90DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (153nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	153nC	2V	150°C	PDF →
`SIRA90DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (153nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	153nC	2V	150°C	PDF →
`SIR178DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (310nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	100A	0.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	310nC	4.4V	150°C	PDF →
`SIRA80DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (188nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →
`SIRA00DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (220nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	220nC	2.2V	150°C	PDF →
`SI9426DY` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	—	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7nC	1.5V	150°C	PDF →
`SIR800ADP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 50.2A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50.2A	1.35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53nC	3.6V	150°C	PDF →
`SIR800DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	4.1V	150°C	PDF →
`NTMFS4H01NFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 54A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	1.22V	—	PDF →
`NTMFS4H01NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 54A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	0.97nC	1.22V	150°C	PDF →
`SIRA14DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 58A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	58A	5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	4.6V	150°C	PDF →
`NTMFS4C09NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 52A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	52A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.9nC	2.1V	150°C	PDF →
`SI7788DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	7.3V	150°C	PDF →
`SIR818DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	5.4V	150°C	PDF →
`SIRA66DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	5.7V	150°C	PDF →
`KNE7306A` KIA Semicon Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	5.56mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTMFS4H01NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 54A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	54A	0.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	2.1V	150°C	PDF →
`TPN2R304PL,L1Q(M` TPN2R304PL,L1Q(M Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	—	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`SIR862DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	25V	50A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	90nC	5.8V	150°C	PDF →
`SIRA60DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 56A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (100nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	56A	0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	6.3V	150°C	PDF →
`SIRA62DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 51.4A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (93nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	51.4A	1.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	93nC	4.3V	150°C	PDF →
`SIR800DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (133nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	20V	50A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	133nC	1.5V	150°C	PDF →
`NTMFS4C09NBT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 52A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	52A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`SIRA02DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.3V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (117nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	117nC	2.2V	150°C	PDF →
`SIR164DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (123nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	123nC	5.9V	150°C	PDF →
`SIR164DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 50A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (123nC vs 60nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	50A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	123nC	5.9V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (4)

SI4136DY-T1-GE3: id-too-low
SI7858ADP-T1-E3: vds-too-low, id-too-low
SI7862ADP-T1-E3: id-too-low
SI7868ADP-T1-E3: id-too-low