SIR500DP-T1-RE3Vishay Intertech ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 85.9A | 0.47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 180nC | 0.42V | 150°C | PDF → | — |
SIRA00DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.42V vs 5.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 100A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 100nC | 5.8V | 150°C | PDF → | — |
SIRA60DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 100A | 0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 125nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
SIRA90DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 100A | 0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 153nC | 2V | 150°C | PDF → | — |
SIRA90DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 100A | 0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 153nC | 2V | 150°C | PDF → | — |
SIRA80DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.42V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 100A | 0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 188nC | 5.3V | 150°C | PDF → | — |
SIRA00DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 100A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 220nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C022NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 136A | 1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.8nC | 1.32V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C022NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 136A | 1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.8nC | 1.32V | 150°C | PDF → | — |
NVMFS4C03NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 159A | 1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.8nC | 1.32V | 175°C | PDF → | — |
NTMFS4983NFonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.42V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 | 30V | 160A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → | Zobacz ofertę → |
IRF7455TRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 80A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 80A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 12.6nC | 1.2V | — | PDF → | — |
NTMFS4C55NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 78A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 | 30V | 78A | 3.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 2.2V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C55NT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 78A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 78A | 2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 14nC | 1.32V | 150°C | PDF → | — |
SIDR392DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.42V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 82A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 82A | 0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 188nC | 5.3V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4931NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 77A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 77A | 1.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 61.5nC | 1.21V | 150°C | PDF → | — |
SIRA20BDP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.42V vs 5.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 82A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 25V | 82A | 0.58mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 186nC | 5.4V | 150°C | PDF → | — |
NTMFS4C55Nonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.42V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 78A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 | 30V | 78A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → | — |
NTMFS4C06NBT3Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.42V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 69A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 69A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → | — |
NTMFS4C800NT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.42V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- UWAGA: Id 69A < 85.9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 69A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | 150°C | Szukaj PDF → | — |