SIR570DP-T1-RE3Vishay Intertech ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 19A | 6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 71nC | 6.9V | 150°C | PDF → |
SQJ872EP-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 24.5A | 35.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SIR616DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 20.2A | 50.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20.2nC | 6.8V | 150°C | PDF → |
SI7430DP-T1-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 26A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
SI7430DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 26A | 36mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 26nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
SQJA20EP-T1_GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 22.5A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 27nC | 3.5V | 175°C | PDF → |
SI7172DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.9V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 25A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 77nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIR692DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 250V | 24.2A | 63mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 30nC | 7.5V | 150°C | PDF → |
SIR872ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 45A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53.7nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
SIR690DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 34.4A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23.8nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR690DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 34.4A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR610DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 35.4A | 31.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 7.1V | 150°C | PDF → |
SIR622DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.9V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 51.6A | 14.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SIR872ADP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 53.7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SIR872DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 53.7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53.7nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SIDR622DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.9V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 64.6A | 17.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SI7738DP-T1-E3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (150nC vs 71nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 30A | 38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 150nC | 4V | 150°C | PDF → |
SI7738DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (150nC vs 71nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 30A | 38mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 150nC | 4V | 150°C | PDF → |
SQ4080EY-T1_GE3Vishay / Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 18A < 19A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 18A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 4V | 175°C | PDF → |
SIR578DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 17.2A < 19A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 17.2A | 7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 7V | 150°C | PDF → |
SQJA20EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | — | 41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17.627nC | 2.53V | — | PDF → |
SIR696DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.9V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 125V < 150V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 16.4A < 19A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 125V | 16.4A | 9.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 60nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SI7190DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 18.4A < 19A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 250V | 18.4A | 98mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 72nC | 4V | 150°C | PDF → |