Zamienniki dla SIR622DP-T1-GE3

SIR622DP-T1-GE3 (Vishay Intertech)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (5)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIR622DP-T1-GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	51.6A	14.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31nC	2.5V	150°C	PDF →
`SIDR622DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	64.6A	17.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	2.5V	150°C	PDF →
`SIR872ADP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Qg wyzsze (47nC vs 31nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	53.7A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	4.5V	150°C	PDF →
`SIR872DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5.6V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (53.7nC vs 31nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	53.7A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53.7nC	5.6V	150°C	PDF →
`SQJA20EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	—	41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.627nC	2.53V	—	PDF →
`SIR872ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 2.54V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 45A < 51.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (53.7nC vs 31nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	45A	23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53.7nC	2.54V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (13)

SI7430DP-T1-E3: id-too-low
SI7430DP-T1-GE3: id-too-low
SI7738DP-T1-E3: id-too-low
SI7738DP-T1-GE3: id-too-low
SIR5708DP-T1-RE3: id-too-low
SIR576DP-T1-RE3: id-too-low
SIR606DP-T1-GE3: vds-too-low, id-too-low
SIR622DP-T1-RE3: id-too-low
SQJ418EP-T1_GE3: vds-too-low
SQJ488EP-T1_BE3: vds-too-low
SQJ488EP-T1_GE3: vds-too-low
SQJ488EP-T2_BE3: vds-too-low
SQJ872EP-T1_GE3: id-too-low