Zamienniki dla SIR690DP-T1-GE3
SIR690DP-T1-GE3 (Vishay Intertech)auto
- Typ ukladu
- MOSFET N-channel
- Obudowa
- SO-8
- Wymiary
- 4.9 × 3.9 × 1.5 mm
Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (3)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
SIR690DP-T1-GE3Vishay Intertech ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 34.4A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23.8nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SIR610DP-T1-RE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 35.4A | 31.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 7.1V | 150°C | PDF → |
SIR690DP-T1-RE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 23.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | 34.4A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 7.3V | 150°C | PDF → |
SQJA20EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | — | 41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17.627nC | 2.53V | — | PDF → |
Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (16)
- HSM10N15A: vds-too-low, id-too-low
- SI4490DY-T1-E3: polarity-mismatch (N vs P), id-too-low
- SI4490DY-T1-GE3: polarity-mismatch (N vs P), id-too-low
- SI7172ADP-T1-RE3: id-too-low
- SI7172DP-T1-GE3: id-too-low
- SI7430DP-T1-E3: vds-too-low, id-too-low
- SI7430DP-T1-GE3: vds-too-low, id-too-low
- SI7450DP-T1-E3: id-too-low
- SI7450DP-T1-GE3: id-too-low
- SI7738DP-T1-E3: vds-too-low
- SI7738DP-T1-GE3: vds-too-low
- SIR616DP-T1-GE3: id-too-low
- SIR624DP-T1-GE3: id-too-low
- SQJ454EP-T1_BE3: id-too-low
- SQJ454EP-T1_GE3: id-too-low
- SQJ872EP-T1_GE3: vds-too-low, id-too-low