Zamienniki dla SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3 (Vishay Siliconix)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (7)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIR692DP-T1-RE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	250V	24.2A	63mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	7.5V	150°C	PDF →
`SQJA20EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 200V < 250V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 22.5A < 24.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	22.5A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	3.5V	175°C	PDF →
`SIR616DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 200V < 250V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 20.2A < 24.2A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	20.2A	50.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.2nC	6.8V	150°C	PDF →
`SIR690DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 200V < 250V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	34.4A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	23.8nC	7.3V	150°C	PDF →
`SQJA20EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Vds 200V < 250V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	—	41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.627nC	2.53V	—	PDF →
`SIR610DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 200V < 250V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	35.4A	31.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	7.1V	150°C	PDF →
`SIR690DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 200V < 250V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	34.4A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	7.3V	150°C	PDF →
`SI7172DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 7.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 200V < 250V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (77nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	200V	25A	70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	77nC	2V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (11)

SI4434DY-T1-E3: polarity-mismatch (N vs P), id-too-low
SI4490DY-T1-E3: polarity-mismatch (N vs P), id-too-low
SI4490DY-T1-GE3: polarity-mismatch (N vs P), id-too-low
SI7190ADP-T1-RE3: id-too-low
SI7190DP-T1-GE3: id-too-low
SI7434DP-T1-E3: id-too-low
SI7434DP-T1-GE3: id-too-low
SI7450DP-T1-E3: id-too-low
SI7450DP-T1-GE3: id-too-low
SQJ454EP-T1_BE3: id-too-low
SQJ454EP-T1_GE3: id-too-low