Zamienniki dla SIR872ADP-T1-RE3
SIR872ADP-T1-RE3 (Vishay Intertech)auto
- Typ ukladu
- MOSFET N-channel
- Obudowa
- SO-8
- Wymiary
- 4.9 × 3.9 × 1.5 mm
Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (5)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
SIR872ADP-T1-RE3Vishay Intertech ↓ Twoj uklad | N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 53.7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 47nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
SIDR622DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 64.6A | 17.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 41nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SIR872DP-T1-GE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 53.7A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53.7nC | 5.6V | 150°C | PDF → |
SIR622DP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4.5V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 51.6A < 53.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 51.6A | 14.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
SQJA20EP-T1_BE3Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 200V | — | 41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17.627nC | 2.53V | — | PDF → |
SIR872ADP-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 45A < 53.7A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SO-8 4.9×3.9mm | 150V | 45A | 23mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 53.7nC | 2.54V | 150°C | PDF → |
Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (5)
- SI7430DP-T1-E3: id-too-low
- SI7430DP-T1-GE3: id-too-low
- SI7738DP-T1-E3: id-too-low
- SI7738DP-T1-GE3: id-too-low
- SQJ872EP-T1_GE3: id-too-low