Zamienniki dla SIR882DP-T1-GE3

SIR882DP-T1-GE3 (Vishay Intertech)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (44)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIR882DP-T1-GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	60A	8.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	2.8V	150°C	PDF →
`SIR846ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	60A	7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.7nC	6V	150°C	PDF →
`SIR882ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	60A	8.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	19.5nC	5.8V	150°C	PDF →
`SIR846DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	60A	6.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`SIR870ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	60A	6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`SIR870ADP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	60A	6.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`SIR870DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	60A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6V	150°C	PDF →
`SIR846ADP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	60A	7.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	66nC	6V	150°C	PDF →
`SIDR622DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	64.6A	17.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	41nC	2.5V	150°C	PDF →
`NTMFS005N10MCLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	105A	5.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26nC	5.6V	175°C	PDF →
`SIDR870ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	95A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	6V	150°C	PDF →
`SIR668DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	95A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	83nC	7.2V	150°C	PDF →
`SQJ110EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (113nC vs 58nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	170A	6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	113nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJ474EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.53nC	1.52V	—	PDF →
`SQJA70EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	—	78mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	2.53V	—	PDF →
`NTMFS015N10MCLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 54A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	54A	12.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9nC	5V	175°C	PDF →
`SIJ478DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	54nC	6.1V	150°C	PDF →
`SQJ186EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	2.53V	175°C	PDF →
`SQJ418EP-T1_BE3` SQJ418EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 48A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	48A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	2.53V	175°C	PDF →
`SQJ418EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 48A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	48A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJ418EP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 48A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	100V	48A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	35nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJA90EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	7.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	55nC	3.5V	175°C	PDF →
`SQJ186ELP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	66A	12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	2.5V	175°C	PDF →
`SIR826DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	6.1V	150°C	PDF →
`SQJA82EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJA82EP-T1_BE3` SQJA82EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 1.52V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	8.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	60nC	1.52V	175°C	PDF →
`SQJA92EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 57A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	57A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	3.5V	175°C	PDF →
`NTMFS6H836NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	74A	6.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	25nC	2.04V	175°C	PDF →
`SIR872ADP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 53.7A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	53.7A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	47nC	4.5V	150°C	PDF →
`SIR872DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 53.7A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	53.7A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53.7nC	5.6V	150°C	PDF →
`SIR622DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 51.6A < 60A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	150V	51.6A	14.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31nC	2.5V	150°C	PDF →
`SIR880ADP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	72nC	5.6V	150°C	PDF →
`SIR880DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	5.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	74nC	2.8V	150°C	PDF →
`SQJA80EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJA80EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	75nC	2.5V	175°C	PDF →
`SIR680DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	100A	2.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	53.5nC	7.4V	150°C	PDF →
`SIR826DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (90nC vs 58nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	60A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	90nC	6.1V	150°C	PDF →
`SIR582DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	116A	2.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33.5nC	6.3V	150°C	PDF →
`NTMFS6H818NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	123A	3.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	46nC	2.04V	175°C	PDF →
`SIR680LDP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	130A	2.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	40.5nC	2.2V	150°C	PDF →
`SQJA78EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (95nC vs 58nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	72A	5.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	95nC	3.3V	175°C	PDF →
`NVMFS6H818NLT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 1.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	135A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	64nC	1.22V	175°C	PDF →
`NVMFS6H800NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.04V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	203A	2.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	85nC	2.04V	175°C	PDF →
`SQJ182EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (96nC vs 58nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	210A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	96nC	2.22V	175°C	PDF →
`SQJ180EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 2.8V vs 2.22V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 80V < 100V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (117nC vs 58nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	80V	248A	2.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	117nC	2.22V	175°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (8)

DMT10H010LSS-13: id-too-low
SIR606DP-T1-GE3: id-too-low
SIR876ADP-T1-GE3: id-too-low
SQJ402EP-T1_BE3: id-too-low
SQJ402EP-T1_GE3: id-too-low
SQJ488EP-T1_BE3: id-too-low
SQJ488EP-T1_GE3: id-too-low
SQJ488EP-T2_BE3: id-too-low