Zamienniki dla SIR882DP-VB

SIR882DP-VB (VBsemi Elec)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: PowerPAK
Wymiary: 5 × 6 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (1)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SIR882DP-VB` VBsemi Elec ↓ Twoj uklad	N	PowerPAK 5×6mm	100V	95A	5.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	7.5V	175°C	PDF →
`SIHH27N60EF-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (PowerPAK) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (PowerPAK) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 7.5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (135nC vs 10nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	PowerPAK	600V	100A	87mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	135nC	2V	150°C	PDF →