Zamienniki dla SIRA60DP-T1-RE3

SIRA60DP-T1-RE3 (Vishay Siliconix)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (12)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`SIRA60DP-T1-RE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.94mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	125nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`SIRA00DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.2V vs 5.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	5.8V	150°C	PDF →	—
`NTMFS4C022NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	136A	1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.8nC	1.32V	150°C	PDF →	—
`NTMFS4C022NT3G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	136A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.8nC	1.32V	150°C	PDF →	—
`SIRA90DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	153nC	2V	150°C	PDF →	—
`SIRA90DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	153nC	2V	150°C	PDF →	—
`NVMFS4C03NT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	159A	1.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20.8nC	1.32V	175°C	PDF →	—
`SIRA80DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.2V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Qg wyzsze (188nC vs 125nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →	—
`SIRA00DP-T1-RE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (220nC vs 125nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	100A	1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	220nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`NTMFS4983NF` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 2.2V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	160A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	Zobacz ofertę →
`IRF7455TRPBF-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) UWAGA: Id 80A < 100A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	80A	6.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.6nC	1.2V	—	PDF →	—
`SIR500DP-T1-RE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Id 85.9A < 100A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	85.9A	0.47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	180nC	0.42V	150°C	PDF →	—
`SIDR392DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.2V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 82A < 100A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (188nC vs 125nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	82A	0.62mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	188nC	5.3V	150°C	PDF →	—