Zamienniki dla SM4309PSKP
SM4309PSKP (Sinopower)
- Typ ukladu
- MOSFET P-channel
- Obudowa
- SO-8
- Wymiary
- —
Brakuje danych: wymiary, pinout, Vgs pomiaru Rds(on), Vgs(th) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (4)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
SM4309PSKPSinopower ↓ Twoj uklad | P | SO-8 | 30V | 100A | 3.6mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
SI7145DP-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 5×6mm | 30V | 110A | 4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 3V | 150°C | PDF → |
NTMFS002P03P8ZT1Gonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | 263A | 1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 1V | 150°C | PDF → |
SI4413DDY-T1-GE3Vishay / Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Id
- Brak danych: Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| P | SO-8 4.9×3.9mm | 30V | — | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → |
SIRA01DP-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem
- UWAGA: Id 90A < 100A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SO-8 5×6mm | 30V | 90A | 3.54mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 146nC | 1.6V | 150°C | PDF → |