Szukamy zamiennikow...

Sprawdzamy oznaczenie w katalogu i porównujemy dostępne parametry. Braki danych będą widoczne przy wynikach.

Zamienniki dla SP8K80TB1

SP8K80TB1 (ROHM Semicon)

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (12)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SP8K80TB1` ROHM Semicon ↓ Twoj uklad	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	500V	0.5A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.8nC	5V	—	Szukaj PDF →
`ET8205A` ETERNAL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 0.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	651V	6A	19mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	0.5V	150°C	PDF →
`SQJ204EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	20A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	5V	175°C	PDF →
`STS1DNC45` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.333V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Vds 450V < 500V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas UWAGA: Id 0.4A < 0.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	450V	0.4A	4100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.2nC	2.333V	150°C	PDF →
`SQJ202EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	—	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	—	PDF →
`FDSS2407S_B82086` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	3.3A	99mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.34nC	1V	150°C	PDF →
`DMC3025LSD-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	4.1V	150°C	PDF →
`TPC8223-H-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 3.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	11A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`DTM4926-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 3.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`AO4832-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 3.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	13.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`HAT2092RJ-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 3.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	13.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`AO4884&40V-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 3.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	10A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	6V	150°C	PDF →
`AO4882-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 3.8nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	6V	150°C	PDF →