Zamienniki dla SQJ160EP-T1_GE3

SQJ160EP-T1_GE3 (Vishay Intertech)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (2)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SQJ160EP-T1_GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	362A	1.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	119nC	2.22V	175°C	PDF →
`SQJA64EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.22V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	—	25.9mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.612nC	2.53V	—	PDF →
`SQJ174EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.22V vs 2.53V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 293A < 362A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane	N	SO-8 4.9×3.9mm	60V	293A	5000mΩ Vgs=10V, 175°C	81nC	2.53V	175°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (7)

NTMFS5C612NLT1G: id-too-low
NTMFS5C628NLT1G: id-too-low
NTMFS5C628NLT3G: id-too-low
NVMFS5C628NLWFAFT1G: id-too-low
SIDR626LDP-T1-RE3: id-too-low
SIDR626LEP-T1-RE3: id-too-low
SIR626ADP-T1-RE3: id-too-low