Zamienniki dla SQJ202EP-T1_GE3

Sprawdzamy dane ukladu SQJ202EP-T1_GE3...

Trwa uzupelnianie parametrow. Strona odswiezy sie automatycznie. Proba 0/36.

SQJ202EP-T1_GE3 (Vishay Siliconix)auto

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× N-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Id, Vgs pomiaru Rds(on), Vgs(th) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (9)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SQJ202EP-T1_GE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	—	5.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	—	—	PDF →
`SQJ204EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	1212V	20A	8.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1nC	5V	175°C	PDF →
`DMC3025LSD-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	8.5A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	4.1V	150°C	PDF →
`FDSS2407S_B82086` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (3.34nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	3.3A	99mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3.34nC	1V	150°C	PDF →
`AO4832-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	13.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`DTM4926-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`HAT2092RJ-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	13.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`TPC8223-H-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	11A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	6V	150°C	PDF →
`AO4882-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	12A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	6V	150°C	PDF →
`AO4884&40V-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in SQJ202EP-T1_GE3 nie ma Id w bazie — ranking wg dostepnych parametrow; porownaj karte katalogowa przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 1nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-N	SO-8 4.9×3.9mm	—	10A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	6V	150°C	PDF →