Zamienniki dla SQJ423EP-T1_BE3

SQJ423EP-T1_BE3 (Vishay Siliconix)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (10)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SQJ423EP-T1_BE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	55A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	130nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ423EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	55A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	130nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ147ELP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	90A	12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	120nC	2V	175°C	PDF →
`AO4484` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	120A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	1.72V	150°C	PDF →
`NVMFS5A140PLZT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	140A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.2V	175°C	PDF →
`NVMFS5A140PLZWFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	140A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.2V	175°C	PDF →
`SQJ409EP-T1_BE3` SQJ409EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 130nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	60A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ409EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 130nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ409EP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 130nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2.5V	175°C	PDF →
`SI7463ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 46A < 55A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	46A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48.6nC	5V	150°C	PDF →
`SIRS4401DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) UWAGA: Id 46.8A < 55A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (588nC vs 130nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	46.8A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	588nC	2.3V	150°C	PDF →