Zamienniki dla SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3 (Vishay Siliconix)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (15)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SQJ443EP-T1_GE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	40A	29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ443EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	40A	29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ443EP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	40A	29mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	57nC	2.5V	175°C	PDF →
`SI7463ADP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	46A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48.6nC	5V	150°C	PDF →
`AO4484` Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	120A	5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	37nC	1.72V	150°C	PDF →
`NVMFS5A140PLZT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	140A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.2V	175°C	PDF →
`NVMFS5A140PLZWFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	140A	3.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.2V	175°C	PDF →
`SQJ423EP-T1_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (130nC vs 57nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	55A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	130nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ423EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (130nC vs 57nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	55A	14mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	130nC	2.5V	175°C	PDF →
`SIRS4401DP-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (588nC vs 57nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	46.8A	2.2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	588nC	2.3V	150°C	PDF →
`SQJ409EP-T1_BE3` SQJ409EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 57nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	60A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ409EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 57nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ409EP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (260nC vs 57nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	60A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	260nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ147ELP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (120nC vs 57nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	90A	12.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	120nC	2V	175°C	PDF →
`SI4456DY-T1-E3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 33A < 40A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	33A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	7V	150°C	PDF →
`SI4456DY-T1-GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 33A < 40A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	40V	33A	3.1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	33nC	7V	150°C	PDF →