Zamienniki dla SQJ560EP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3 (Vishay Siliconix)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (12)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SQJ560EP-T1_GE3` Vishay Siliconix ↓ Twoj uklad	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ461EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	30A	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2V	175°C	PDF →
`NVMFS5A160PLZWFT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	100A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	36nC	1.2V	175°C	PDF →
`SQJ457EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (100nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	36A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ457EP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (100nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	36A	25mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	100nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ479EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (150nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	32A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	150nC	2V	175°C	PDF →
`SQJA81EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (80nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	46A	14.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	80nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ459EP-T1_BE3` SQJ459EP-T1_BE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (108nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	52A	15.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	108nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ459EP-T1_GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (108nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	52A	15.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	108nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ459EP-T2_BE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (108nC vs 30nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	52A	18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	108nC	2.5V	175°C	PDF →
`SQJ461EP-T2_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	—	13mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	2V	—	PDF →
`SI7469DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5.3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 28A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	28A	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	28nC	5.3V	150°C	PDF →
`SQJ469EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SO-8 4.9×3.9mm	80V	—	21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.2nC	2V	—	PDF →