Zamienniki dla SQJ951EP-T1_GE3

SQJ951EP-T1_GE3 (SQJ951EP-T1_GE3)auto

Typ ukladu: Dual MOSFET (2× P-channel)
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (4)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SQJ951EP-T1_GE3` SQJ951EP-T1_GE3 ↓ Twoj uklad	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	30A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2V	175°C	PDF →
`SQJ951EP-T1_BE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	30A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2V	175°C	PDF →
`SI7997DP-T1-GE3` Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (160nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	60A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	160nC	2.2V	150°C	PDF →
`NDS9953A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	30V	—	110mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	1.6nC	1.6V	150°C	PDF →
`SQJ963EP-T1_GE3` Vishay Siliconix Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	dual-P	SO-8 4.9×3.9mm	60V	—	3500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.3nC	2V	—	PDF →