Zamienniki dla SQJQ100E-T1_GE3

SQJQ100E-T1_GE3 (Vishay Intertech)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: POWERPAK(8X8)
Wymiary: 8 × 8 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (1)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`SQJQ100E-T1_GE3` Vishay Intertech ↓ Twoj uklad	N	POWERPAK(8X8) 8×8mm	40V	200A	1.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5nC	2.533V	175°C	PDF →
`SQJQ148E-T1_GE3` SQJQ148E-T1_GE3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (POWERPAK(8X8)) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (86nC vs 5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	POWERPAK(8X8) 8×8mm	40V	—	1.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	86nC	—	—	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)

SQJQ150E-T1_GE3: id-too-low