Zamienniki dla STFW3N150

STFW3N150 (STMicroelectronics)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: TO-3PF
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, pinout, Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (3)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`STFW3N150` STMicroelectronics ↓ Twoj uklad	N	TO-3PF	1500V	2.5A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	29.3nC	5V	150°C	PDF →
`STFW2N105K5` STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (11) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3PF) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (TO-3PF) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem UWAGA: Id 2A < 2.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (840nC vs 29.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-3PF	—	2A	5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	840nC	5V	150°C	PDF →
`SSF10N80A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3PF) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (TO-3PF) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (165nC vs 29.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-3PF	—	6.5A	746mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	165nC	3.5V	150°C	PDF →
`IRFS150A` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-3PF) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (TO-3PF) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (97nC vs 29.3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	TO-3PF	—	31A	1500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	97nC	4V	175°C	PDF →