STU6N90K5STMicroelectronics ↓ Twoj uklad | N | TO-251 | 900V | 6A | 910mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 4V | 150°C | PDF → |
IPU95R1K2P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 950V | 6A | 2290mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPU95R750P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (23nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 950V | 9A | 1429mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 23nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPU95R450P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (35nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 950V | 14A | 847mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 35nC | 3V | 150°C | PDF → |
VBFB18R06SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 6A | 850mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 2V | 150°C | PDF → |
STD7NM80-1STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 6.5A | 1050mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 150°C | PDF → |
AOI950A70Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 5A < 6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 5A | 860mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.93V | 150°C | PDF → |
IPS70R1K4CEAKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 750V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 5.4A < 6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10.5nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 750V | 5.4A | 3280mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.5nC | 2.53V | 150°C | PDF → |
IPSA70R1K4CEInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 750V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 5.4A < 6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (10.5nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 750V | 5.4A | 3280mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10.5nC | 2.53V | 150°C | PDF → |
IPS80R900P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 6A | 1990mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 3V | — | PDF → |
IPS80R900P7AKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 6A | 1990mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPU80R900P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 6A | 1990mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPS80R750P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (17nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 7A | 1660mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPS80R750P7AKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (17nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 7A | 1660mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPU80R750P7AKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (17nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 7A | 1660mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPS70R950CEAKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 750V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15.3nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 750V | 7.4A | 2220mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.3nC | 2.53V | 150°C | PDF → |
IPS80R600P7AKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 8A | 1330mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPU80R600P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 8A | 1330mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPU80R600P7AKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (20nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 8A | 1330mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 3V | 150°C | PDF → |
IPSA70R950CEInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 750V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15.3nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 750V | 8.7A | 2220mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.3nC | 2.53V | 150°C | PDF → |
IPU80R1K0CEAKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 5.7A < 6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (31nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 5.7A | 2200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 31nC | 3V | 150°C | PDF → |
STU8N80K5STMicroelectronics Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (640nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | — | 6A | 5000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 640nC | 5V | 150°C | PDF → |
IRFU120ATUonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | — | 8.4A | 3900mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 4V | 150°C | PDF → |
IPSA70R600CEInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 750V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 750V | 10.5A | 1400mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2.53V | 150°C | PDF → |
IPSA70R600CEAKMA1Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 750V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 750V | 10.5A | 1400mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22nC | 2.53V | 150°C | PDF → |
AOI360A70Alpha & Omega Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22.5nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | 800V | 12A | 316mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 22.5nC | 3.444V | 150°C | PDF → |
RFD3055onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | — | 12A | 2000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 2V | 175°C | PDF → |
RFD16N05HARRIS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | — | 16A | 47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 2V | 175°C | PDF → |
RFD16N05_NLonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (13nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | — | 16A | 47mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 2V | 175°C | PDF → |
SIHU6N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (22.5nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
| N | TO-251 | 800V | 100A | 950mΩ Vgs=0V, 125°C | 22.5nC | 2V | 150°C | PDF → |
IRFU130ATUonsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (36nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-251 | — | 13A | 3080mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 36nC | 4V | 150°C | PDF → |
SIHU2N80AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 4V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 800V < 900V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (710.5nC vs 6nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
| N | TO-251 | 800V | 100A | 2900mΩ Vgs=0V, 125°C | 710.5nC | 2V | 150°C | PDF → |