Zamienniki dla TSM180N03CS RLG

TSM180N03CS RLG (Taiwan Semiconductor)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SO-8
Wymiary: 4.9 × 3.9 × 1.5 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (4)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`TSM180N03CS RLG` Taiwan Semiconductor ↓ Twoj uklad	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	9A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4nC	1.6V	—	PDF →
`TSM042N03CS RLG` Taiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	30A	3.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4nC	1.6V	—	PDF →
`NTMFS4C09NCT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10.9nC vs 4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8	30V	9A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10.9nC	2.1V	150°C	PDF →
`NTMFS4C10NAT1G` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SO-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.6V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) UWAGA: Id 8.2A < 9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SO-8	30V	8.2A	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →
`NTMD4840NR2G-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (SO-8) i polaryzacja N — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.6V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 8.5A < 9A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (22nC vs 4nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SO-8 4.9×3.9mm	30V	8.5A	4000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	22nC	5.2V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)

TSM4424CS RVG: vds-too-low