Zamienniki dla VBB1630

VBB1630 (VBsemi Elec)

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SOT-23-3
Wymiary: 2.9 × 1.6 × 1.1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (18)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`VBB1630` VBsemi Elec ↓ Twoj uklad	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	5.5A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	5.5nC	5V	150°C	PDF →
`HSS6014` HUASHUO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	6.5A	33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	150°C	PDF →
`06N06L` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.01V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	5.5A	5.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.01V	150°C	PDF →
`PJM10H10NSC` PJSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (12nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	10A	110mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12nC	3V	150°C	PDF →
`AP5N10S` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	5A	115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.8V	150°C	PDF →
`BSS159N H6327` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2.4V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	—	3980mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2.4V	150°C	PDF →
`BSS159N H6906` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	—	3980mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`ST3422A` STANSON Tech. Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.6A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.6A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	150°C	PDF →
`AO3422-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`AO3422MI-MS` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	150°C	PDF →
`FDN5632N-F085-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`FDN86501LZ-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`HXY3422MI` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`SI2308BDS-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 4.5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`YJL05N06AL` Yangzhou Yangjie Elec Tech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.4nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	5A	35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.4nC	1.5V	150°C	PDF →
`5N10-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	5A	89mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.5V	—	PDF →
`HXY5N10MI` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 1.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 5A < 5.5A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 5.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	5A	89mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.5V	—	PDF →
`BSS126H6327` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	600V	—	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2.1nC	2V	150°C	PDF →
`BSS126 H6906` BSS126 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 5V vs 2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	600V	—	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (1)

ZXMN6A07FQTA: id-too-low