Zamienniki dla VBC6N3010
VBC6N3010 (VBsemi Elec)
- Typ ukladu
- Dual MOSFET (2× N-channel)
- Obudowa
- TSSOP-8
- Wymiary
- 4.9 × 3.9 × 1.5 mm
Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.
Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →
Kandydaci do weryfikacji (5)
Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.
| MPN | Polar. | Obudowa | Vds | Id | Rds(on) | Qg | Vgs(th) | Tj max | Datasheet |
|---|
VBC6N3010VBsemi Elec ↓ Twoj uklad | dual-N | TSSOP-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.6A | 12mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 13nC | 1.53V | 150°C | PDF → |
FDW2601NZ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
| dual-N | TSSOP-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.6A | 12mΩ Vgs=4.5V, 25°C | — | 1.5V | 150°C | PDF → |
FNK10N25B-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
| dual-N | TSSOP-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.6A | 12mΩ Vgs=4.5V, 25°C | — | 1.5V | 150°C | PDF → |
UPA1870GR-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- oryginal to logic-level (Vgs(th) 1.53V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- rds_on warunki pomiaru tylko po jednej stronie znane
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vgs(th)
| dual-N | TSSOP-8 4.9×3.9mm | 30V | 8.6A | 12mΩ Vgs=4.5V, 25°C | — | — | 150°C | PDF → |
BLM2012EBL(Shanghai Belling) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1.53V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- UWAGA: Id 7A < 8.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | TSSOP-8 4.9×3.9mm | — | 7A | 1mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
NCE2010EWuxi NCE Power Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8)- brak potwierdzonego pinoutu po jednej ze stron — nie klasyfikuj jako drop-in
- kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- UWAGA: Id 7A < 8.6A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: pinout
- Brak danych: Vds
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| dual-N | TSSOP-8 4.9×3.9mm | — | 7A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 0.7V | 150°C | PDF → |