Zamienniki dla VBJ2102M

VBJ2102M (VBsemi Elec)

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: SOT-223
Wymiary: —

Brakuje danych: wymiary, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (4)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`VBJ2102M` VBsemi Elec ↓ Twoj uklad	P	SOT-223	100V	3A	600mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	6.6V	150°C	PDF →
`FQT5P10-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SOT-223) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SOT-223	100V	3A	2000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	3nC	6.6V	150°C	PDF →
`DMP10H400SEQ-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SOT-223) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.6V vs 2.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.4nC vs 3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SOT-223	100V	6A	500mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.4nC	2.2V	150°C	PDF →
`G04P10HE` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SOT-223) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.6V vs 1.55V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (50nC vs 3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SOT-223	100V	4A	4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	50nC	1.55V	—	PDF →
`AGM60P20R` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (9) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (SOT-223) — form-fit w obrebie rodziny obudowy rozny typ bramki: standard -> logic-level (Vgs(th) 6.6V vs 1.8V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8.5nC vs 3nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	SOT-223	—	10A	200mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.5nC	1.8V	150°C	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (8)

BSP321P H6327: id-too-low
BSP322PH6327: id-too-low
DMP10H400SE-13: id-too-low
FQT5P10TF-VB: id-too-low
HSL0107: id-too-low
IRFL9110TRPBF: id-too-low
IRFL9110TRPBF-BE3: id-too-low
S-LP03N060TZHG: vds-too-low