VBMB165R07VBsemi Elec ↓ Twoj uklad | N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
FDPF10N60NZ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 3V | 150°C | PDF → |
K2543-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 3V | 150°C | PDF → |
SPA11N60CFD-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 170mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1nC | 3V | — | PDF → |
VBMB165R12VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 3V | 150°C | PDF → |
VBZMB12N65VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9nC | 3V | — | PDF → |
IPP50R380CEIPP50R380CE Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (1)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 380mΩ Vgs=0V, 150°C | 24.8nC | 2.5V | — | PDF → |
VBM165R12VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBM165R10VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (43nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 43nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBM17R10VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (43nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 700V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 43nC | 2V | 150°C | PDF → |
IPP65R095C7IPP65R095C7 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 2.5V | — | PDF → |
SIHA6N65E-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 600mΩ Vgs=0V, 125°C | 48nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP6N65E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 600mΩ Vgs=0V, 125°C | 48nC | 2V | 150°C | PDF → |
IPA65R095C7-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
IPA65R125C7-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
AOT280A60L-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 280mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
FCP165N65S3R0-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
FCP16N60-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 280mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
IPP65R095C7-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
NTPF190N65S3HF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHF22N65E-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHP21N65EF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHP24N65EF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
STF33N65M2-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
STP16N65M2-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 360mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
TK090A65Z-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
TK14E65W-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 220mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
TK155E65Z-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
TK190A65Z-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 160mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
TK22A65X-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBM165R07SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 3V | — | PDF → |
VBM165R12SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 360mΩ Vgs=0V, 125°C | — | 2.5V | — | PDF → |
VBM165R25SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBMB165R26SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBMB165R32SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBMB165R34SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
IPP60R080P7Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (51nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 110A | 161mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 51nC | 1V | 150°C | PDF → |
VBMB165R10VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (57nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 57nC | 2V | 150°C | PDF → |
VBM165R18VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (71nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 300mΩ Vgs=0V, 125°C | 71nC | 2.5V | 150°C | PDF → |
VBMB165R20VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (73nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 170mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 73nC | 3V | 150°C | PDF → |
AOT13N50-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2.5V | — | PDF → |
FCP16N60N-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2V | — | PDF → |
IKA15N60T-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | 190mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2V | — | PDF → |
IPP50R380CE-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (106nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 650V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 106nC | 2.5V | — | PDF → |
STP3N62K3STP3N62K3 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- UWAGA: Vds 620V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 620V | — | 3000mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 5V | 150°C | PDF → |
SIHP180N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 180mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 33nC | 3V | 150°C | PDF → |
SIHF7N60E-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP120N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (45nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 104mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 45nC | 3V | 150°C | PDF → |
SIHA22N60AE-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (48nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 156mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 48nC | 2V | 150°C | PDF → |
AOTF095A60L-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
AOTF125A60L-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 120mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
AOTF42S60-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHF28N60EF-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 115mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
STF42N60M2-EP-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 85mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
TK31A60W-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
VBMB16R25SVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 120mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 2.5V | — | PDF → |
SIHP12N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (58nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 380mΩ Vgs=0V, 125°C | 58nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHF080N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (63nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 3V | 150°C | PDF → |
SIHP080N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (63nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 80mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 3V | 150°C | PDF → |
SIHP22N60EL-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (74nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 197mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 74nC | 3V | 150°C | PDF → |
SIHP25N60EFL-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 146mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 75nC | 3V | 150°C | PDF → |
SIHP15N60E-E3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (78nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 280mΩ Vgs=0V, 125°C | 78nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP15N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (78nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 280mΩ Vgs=0V, 125°C | 78nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP22N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (86nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 180mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 86nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP23N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (95nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 158mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 95nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP22N60AE-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (96nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 180mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 96nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP30N60AEL-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (120nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 120mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 120nC | 2V | 150°C | PDF → |
SIHP30N60E-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Vds 600V < 650V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (130nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | TO-220 10.16×4.5mm | 600V | 100A | 125mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 130nC | 2.02V | 150°C | PDF → |