VBZFB40P03VBsemi Elec ↓ Twoj uklad | P | TO-251 | 30V | 35A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25nC | 1V | — | PDF → |
VBFB2317VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- Qg wyzsze (40nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | TO-251 | 30V | 40A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 40nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
2SJ681-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 5.2V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | TO-251 | 60V | 55A | 100mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 20nC | 5.2V | 150°C | PDF → |
VBFB2412VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (75nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | TO-251 | 40V | 55A | 10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 75nC | 1V | 175°C | PDF → |
2SJ601-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (98nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Rds(on)
| P | TO-251 | 60V | 45A | — Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 98nC | 1.5V | 175°C | PDF → |
AP4435GJ-VBVBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 1V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 30A < 35A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (40nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
| P | TO-251 | 30V | 30A | 18mΩ Vgs=10V, 25°C | 40nC | 4.5V | 150°C | PDF → |
VBZFB40P06VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 30A < 35A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | TO-251 | 60V | 30A | 4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 1V | 150°C | PDF → |
IRFU5305PBFInfineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7)- wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (TO-251) — form-fit w obrebie rodziny obudowy
- UWAGA: Id 31A < 35A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (63nC vs 25nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: wymiary
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | TO-251 | 250V | 31A | 65mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 63nC | 2V | 175°C | PDF → |