Zamienniki dla WST2300

WST2300 (Winsok Semicon)auto

Typ ukladu: MOSFET N-channel
Obudowa: SOT-23-3
Wymiary: 2.9 × 1.6 × 1.1 mm

Brakuje danych: Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (32)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet
`WST2300` Winsok Semicon ↓ Twoj uklad	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	4.4A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.851V	200°C	PDF →
`AO3416A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6.5A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	0.7V	—	PDF →
`AO3420-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6.5A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	0.7V	—	PDF →
`AOSS32136C-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6.5A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	0.7V	—	PDF →
`HXY3416MI` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6.5A	17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	0.7V	—	PDF →
`BSR802N-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`FDN028N20-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`FDN339AN-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`HXY2300MI` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`SI2300-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`SI2300DS-T1-MS` MSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`SM2312SRL-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`SSM3K345R-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`ST2300-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6A	22mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.65V	—	PDF →
`KO3416` KEXIN Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	6.5A	16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.4V	—	PDF →
`AO3418-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.1nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	30V	5.8A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.1nC	0.5V	—	PDF →
`AO3434A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (9.1nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	30V	5.8A	28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	9.1nC	0.5V	—	PDF →
`AO3480-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	30V	5.8A	41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.9V	—	PDF →
`HXY3400MI` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	30V	5.8A	41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.9V	—	PDF →
`ZXMN3B14F-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	30V	5.8A	41mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	0.9V	—	PDF →
`AO3422-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`FDN5632N-F085-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`FDN86501LZ-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`HXY3422MI` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`SI2308BDS-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (10nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	4.5A	90mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1.2V	—	PDF →
`40N05` HL Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	40V	7A	40mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	2.5V	—	PDF →
`5N10-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	5A	89mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.5V	—	PDF →
`HXY5N10MI` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (20nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	100V	5A	89mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.5V	—	PDF →
`BSS127 H6327` BSS127 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.42V	—	PDF →
`BSS169L6327` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.851V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	20V	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`SK2300A` Shikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) UWAGA: Vds 16V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	16V	6A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	1.3V	—	PDF →
`BSS159N H6906` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.851V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	60V	—	3980mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →
`BSS126 H6906` BSS126 Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Id Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	N	SOT-23-3 2.9×1.6mm	600V	—	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	2V	—	PDF →

Niezgodne lub nieobsługiwane propozycje ze źródeł (12)

AO3414A: tj-max-too-low
ES5N10A: id-too-low, tj-max-too-low
FDN339AN: id-too-low, tj-max-too-low
FS2302: tj-max-too-low
HX2300: tj-max-too-low
HX3400A: tj-max-too-low
SI2302A: tj-max-too-low
SI2302CDS-T1-BE3: id-too-low, tj-max-too-low
SSM3K361R.LF: id-too-low
ST2300: id-too-low, tj-max-too-low
UT2302G-AE2-R: id-too-low, tj-max-too-low
WST3426: id-too-low