WST2339Winsok Semicon ↓ Twoj uklad | P | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 7.1A | 17mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 32nC | 0.5V | 150°C | PDF → |
AO3401CI-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 10A | 20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.1nC | 0.7V | 150°C | PDF → |
AO3413AUMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 15A | 180mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 11nC | 0.65V | 150°C | PDF → |
PJM07P20SAPJSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 7A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 7A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15.3nC | 2V | 150°C | PDF → |
TSM260P02CX RFGTaiwan Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 6.5A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6.5A | 18mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 17nC | 0.6V | 150°C | PDF → |
HXY2333AIHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 18V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 7A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 18V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 0.7V | — | PDF → |
SI2333CDS-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 18V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 7A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 18V | 7A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 0.7V | — | PDF → |
SSM3J328R,LFTOSHIBA Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.5V vs 3V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 47.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 3V | — | PDF → |
SI2399DS-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.5V vs 2.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 5.8A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 5.8A | 34mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 6nC | 2.9V | 150°C | PDF → |
VB2140VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.5V vs 2.9V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 5.8A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 5.8A | 33mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 10nC | 2.9V | 150°C | PDF → |
DMG3415UQ-7-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 18V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 6.5A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 18V | 6.5A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 0.7V | — | PDF → |
SI2333AI-MSMSKSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 18V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 6.5A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 18V | 6.5A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 0.7V | 150°C | PDF → |
SSM3J328R-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- UWAGA: Vds 18V < 20V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas
- UWAGA: Id 6.5A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 18V | 6.5A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 7.8nC | 0.7V | — | PDF → |
SI2393DS-T1-GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.5V vs 5.7V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- UWAGA: Id 6.1A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 6.1A | 22.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 25.2nC | 5.7V | 150°C | PDF → |
DMG3401LSN-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 6A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 6A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1V | — | PDF → |
SI2347DS-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 6A < 7.1A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| P | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 6A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 1V | — | PDF → |