WST3424Winsok Semicon ↓ Twoj uklad | N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 4.4A | 50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.851V | 200°C | PDF → |
PJM2300NSA-LPJSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 5.5A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4nC | 1V | — | Szukaj PDF → |
SQ2310ES-T1_GE3Vishay Intertech Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.58nC | 0.4V | 175°C | PDF → |
ME2320DMATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6.4A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
DMG3402L-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 5A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
DMN3150L-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 5A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
DMN3300U-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 5A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
DMN3730U-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 5A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
IRLML6346PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 5A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
IRLML6346TRPBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 5A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
PMV40UN2R-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 5A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
ZXMN3B01F-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (2)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 5A | 42mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 4.5nC | 0.4V | — | PDF → |
PMV15UNEARNexperia Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.851V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 7A | 1519mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 1.3nC | 5V | 175°C | PDF → |
PMV28ENEARNexperia Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 0.851V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4.4A | 2837mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 5.38nC | 5V | 175°C | PDF → |
DMN2020LSN-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 5A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 0.7V | — | PDF → |
CES2342CET(Chino-Excel Tech) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 4.6A | 37mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1V | — | PDF → |
AP2300ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 5.2A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.5V | — | PDF → |
DMN2046U-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 0.7V | — | PDF → |
SM3416SRL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 28mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8nC | 0.7V | — | PDF → |
DMN2053U-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.7V | — | PDF → |
DMN2056U-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.7V | — | PDF → |
DMN2058U-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.7V | — | PDF → |
HXY2300AIHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.7V | — | PDF → |
IRLML6246PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.7V | — | PDF → |
SI2312CDS-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 27mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.7V | — | PDF → |
VBZ2300VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.851V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6A | 31.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | PDF → |
SKML2502Shikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8.512nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4.5A | 35mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.512nC | 0.6V | — | PDF → |
SK3414Shikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4.5A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 1.4V | — | PDF → |
CJ3404-ESElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (9.8nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6.2A | 16mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 9.8nC | 1.5V | — | PDF → |
2312GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- oryginal to logic-level (Vgs(th) 0.851V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje)
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
- Brak danych: Vgs(th)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 6.8A | 21mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | — | — | Szukaj PDF → |
DMG3414U-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 7A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 0.75V | — | PDF → |
IRLML6244PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 7A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 0.75V | — | PDF → |
PMV16XNR-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 7A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 0.75V | — | PDF → |
SI2342DS-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4)- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (15nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | 7A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 15nC | 0.75V | — | PDF → |
BSH108-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
BSS316N-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
DMN3051L-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
DMN3110S-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
FDN357N-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
FDN359AN-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
FDN361BN-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
IRLML2030PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
IRLML2803PBF-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
MGSF1N03LT1-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
NDS351AN-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
NDS351N-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
NDS355AN-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
NDS355N-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
NTR4503N-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
PMV45EN2R-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
SI2304BDS-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
SI2304BDS-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
SI2304DDS-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
SI2306BDS-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
SI2316BDS-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
SI2316DS-T1-E3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
SI2366DS-T1-GE3-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
SM2306SRL-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
ST2304SRG-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
ZXM61N03F-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
ZXMN3A01F-HXYHXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3)- UWAGA: Id 4A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4A | 2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 3nC | 1.5V | — | PDF → |
KMA3D0N20SA-RTK/PKEC Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Brak danych: Id
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 20V | — | 55mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | — | 0.5V | — | PDF → |
SK3402Shikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 4.2A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8.512nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 4.2A | 60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.512nC | 2.5V | — | PDF → |
SK2304AAShikues Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5)- UWAGA: Id 3.6A < 4.4A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji
- rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci
- verify-switching-losses-in-circuit
- Qg wyzsze (8.5nC vs 4.5nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching
- Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)
| N | SOT-23 2.9×1.6mm | 30V | 3.6A | 70mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana | 8.5nC | 2.2V | — | PDF → |