Zamienniki dla ASDM30P30CTD

ASDM30P30CTD (ASDsemi)auto

Typ ukladu: MOSFET P-channel
Obudowa: DFN-8
Wymiary: 3.1 × 3.1 × 1 mm

Brakuje danych: pinout, Vgs pomiaru Rds(on) — sprawdz datasheet przed dobieraniem zamiennika.

Pelne szczegoly ukladu (parametry, pinout) →

Kandydaci do weryfikacji (46)

Pierwszy wiersz = Twoj uklad. Kolejne pozycje nie spelniaja kompletu regul dla pewnego zamiennika, wiec pokazujemy je tylko jako kandydatow do recznej weryfikacji.

MPN	Polar.	Obudowa	Vds	Id	Rds(on)	Qg	Vgs(th)	Tj max	Datasheet	Sklep KolegaInformatyk
`ASDM30P30CTD` ASDsemi ↓ Twoj uklad	P	DFN-8 3.1×3.1mm	30V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	2.5V	—	Szukaj PDF →	—
`DMP3036SFV-13` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8.8nC	1V	150°C	PDF →	—
`MDV3604URH-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	10mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	12.5nC	1.95V	—	PDF →	—
`DMP3013SFV-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	35A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	16.2nC	1V	150°C	PDF →	—
`WSD30L40DN` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.8V	—	PDF →	—
`AGM40P55AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	31A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	8nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`PE507BA` NIKO Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	42A	14.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	2nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`RU30L30M-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`SSPS7333P-VB` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`VBQF2309` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`VBZQF50P03` VBsemi Elec Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	45A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	14.4nC	5V	150°C	PDF →	—
`WSD30L30DN33` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	20nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`BSZ088N03LS G` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	7.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	7.5nC	2.2V	150°C	PDF →	—
`HN6373` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`HXY50P03DF` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (3) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	2mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`AGM30P05AP` AGM-Semi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	5.57mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	6nC	1.6V	150°C	PDF →	—
`DOZ30P03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.3nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	30A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.3nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`ESN7403` ElecSuper Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (26.4nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	31A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	26.4nC	1.5V	—	PDF →	—
`NVTFWS014P04M8LTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	49A	18.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	175°C	PDF →	—
`SM3303PSQGC-TRG` Sinopower Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	50A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	17.1nC	1.8V	—	PDF →	—
`JSM7409` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	32A	15mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27nC	1.8V	150°C	PDF →	—
`WSD30L68DN` Winsok Semicon Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	68A	5.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1.8V	—	PDF →	—
`ME7839S-G` MATSUKI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (27.6nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.1×3.2mm	30V	36.1A	8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	27.6nC	1V	150°C	PDF →	—
`TTG90P03ATC` WUXI UNIGROUP MICRO Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	90A	6.3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.7V	175°C	PDF →	—
`NVTFS9D6P04M8LTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	64A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	100°C	PDF →	—
`NVTFWS9D6P04M8LTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	64A	9.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	100°C	PDF →	—
`AP40P04Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 2.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	40V	30A	7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	PDF →	—
`RJJ0315DPA-00#J5A` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (48nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	35A	2.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	48nC	2.5V	—	PDF →	—
`DOZ40P03` DOINGTER Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	40A	11mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`DMP3007SCGQ-7` Diodes Incorporated Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (31.2nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	50A	5.7mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	31.2nC	1V	150°C	PDF →	—
`DMP3013SFV-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`DMP3017SFGQ-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`SIS413DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`AP90P03Q` ALLPOWER(ShenZhen Quan Li Semiconductor) Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (45nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	60A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	45nC	1V	150°C	PDF →	—
`ASDM30P11TD-R` ASDsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (5) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (61nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	55A	30mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	61nC	1.2V	150°C	PDF →	—
`BSC084P03NS3GATMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (58nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	78.6A	8.4mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	58nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`G18P03D3` GOFORD Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 28A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	28A	50mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	15nC	1.5V	150°C	PDF →	—
`DMP3036SFV-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 25A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`SI7121DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 25A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`SI7619DN-T1-GE3-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 25A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`STL6P3LLH6-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (4) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Id 25A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	20mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	1V	150°C	PDF →	—
`CSD25402Q3A-HXY` HXY MOSFET Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	—	48A	60mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	4.5nC	0.4V	150°C	PDF →	—
`JSM7409B` JSMSEMI Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (7) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 4.5V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 25A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (30nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	30V	25A	4.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	30nC	4.5V	150°C	PDF →	—
`BSC030P03NS3GAUMA1` Infineon Technologies Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (10) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem rozny typ bramki: logic-level -> standard (Vgs(th) 2.5V vs 3.1V) — sprawdz czy sterownik da odpowiednie Vgs UWAGA: Id 25.4A < 30A oryginalu — sprawdz realny prad w aplikacji rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (186nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	30V	25.4A	3mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	186nC	3.1V	150°C	PDF →	—
`NP75P03YDG-E1-AY` RENESAS Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (8) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem UWAGA: Vds 25V < 30V oryginalu — dopuszczalne TYLKO gdy napiecie w ukladzie ma zapas rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Qg wyzsze (94nC vs 15nC) - wolniejsze przelaczanie, wieksze straty switching Brak danych: wymiary Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8	25V	37.5A	4.8mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	94nC	1.6V	—	PDF →	—
`NVTFWS015P03P8ZTAG` onsemi Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (6) pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru nieporownywalne lub niepelne — wymagane zgodne Vgs, temperatura i Id; nie oceniamy przewagi ani odrzucenia na podstawie tych wartosci verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: Vds Brak danych: Vgs pomiaru Rds(on)	P	DFN-8 3.3×3.3mm	—	88.6A	7.5mΩ Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	10nC	1V	100°C	PDF →	—
`AO21357` Alpha & Omega Semiconductor Kandydat do weryfikacji Uwagi do doboru (13) wymiary nieuzupelnione w bazie, ale obudowa identyczna (DFN-8) — form-fit w obrebie rodziny obudowy pinout niepotwierdzony w bazie, ale ta sama obudowa (DFN-8) i polaryzacja P — uklad wyprowadzen rodziny standardowy; porownaj karte katalogowa przed lutowaniem oryginal to logic-level (Vgs(th) 2.5V), a kandydat nie ma Vgs(th) w bazie — sprawdz w datasheecie czy kandydat tez jest logic-level (inaczej sie nie wysteruje) kandydat nie ma potwierdzonego Vds w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem kandydat nie ma potwierdzonego Id w bazie — sprawdz w datasheecie przed uzyciem rds_on warunki pomiaru: brak wartosci Rds(on) po co najmniej jednej stronie — wymagane sprawdzenie dokumentacji verify-switching-losses-in-circuit Brak danych: wymiary Brak danych: pinout Brak danych: Vds Brak danych: Id Brak danych: Rds(on) Brak danych: Vgs(th)	P	DFN-8	—	—	— Vgs pomiaru nieznane, temperatura nieznana	—	—	—	Szukaj PDF →	Zobacz ofertę →